所謂“幻影回波”，是由于探傷頻率過(guò)高或材料晶粒粗大引起的。

雙晶直探頭傾角越大，交點(diǎn)離探測(cè)面距離愈遠(yuǎn)，覆蓋區(qū)愈大。

單探頭法是反射法，雙探頭法都是穿透法。

由于水中只能傳播縱波，所以水浸探頭不能進(jìn)行橫波探傷。

利用IIW試塊上的φ50孔兩側(cè)面的距離，只能測(cè)定直探頭盲區(qū)的大致范圍。

多探頭法是用兩個(gè)以上的探頭同時(shí)工作的檢測(cè)方法。

橫波法主要用于檢測(cè)與檢測(cè)面成一定傾角的缺陷。

與IIW試塊相比，CSKⅠA試塊的優(yōu)點(diǎn)之一是可以測(cè)定斜探頭的分辨力。

檢測(cè)面的選擇主要考慮缺陷取向，并結(jié)合工件形狀和檢測(cè)技術(shù)綜合考慮。

CSKⅠA試塊上R100和R50兩個(gè)階梯圓弧面可用來(lái)調(diào)節(jié)橫波掃描速度和探測(cè)范圍。