A.同步時(shí)序電路
B.組合邏輯電路
C.觸發(fā)器電路
D.異步時(shí)序電路
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A.并/串轉(zhuǎn)換
B.數(shù)據(jù)存儲(chǔ)
C.串/并轉(zhuǎn)換
D.數(shù)據(jù)運(yùn)算
A.變量譯碼器
B.加法器
C.數(shù)碼寄存器
D.計(jì)數(shù)器
A.狀態(tài)轉(zhuǎn)換真值表
B.特性方程
C.狀態(tài)轉(zhuǎn)換圖
D.波形圖
A.主從RS觸發(fā)器
B.同步D觸發(fā)器
C.邊沿JK觸發(fā)器
D.維持-阻塞D觸發(fā)器
A.同步結(jié)構(gòu)
B.主從結(jié)構(gòu)
C.邊沿結(jié)構(gòu)
D.維持-阻塞結(jié)構(gòu)
最新試題
雙積分型數(shù)字電壓表是否需要取樣-保持電路?請(qǐng)說明理由。
一個(gè)16選一的數(shù)據(jù)選擇器,其地址輸入(選擇控制輸入)端有()個(gè)。
采用浮柵技術(shù)的EPROM中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)是()可擦除的。
DRAM4164有2根片選線(RAS和CAS)、8根地址線和1根數(shù)據(jù)線。請(qǐng)判斷它的存儲(chǔ)容量為多少?
如要將一個(gè)最大幅度為5.1V的模擬信號(hào)轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào),要求輸入每變化20mV,輸出信號(hào)的最低位(LSB)發(fā)生變化,應(yīng)選用()位ADC。
()在計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中得到了廣泛的應(yīng)用,其中一個(gè)重要用途是構(gòu)成數(shù)據(jù)總線。
用1M×4的DRAM芯片通過()擴(kuò)展可以獲得4M×8的存儲(chǔ)器。
判斷如下VHDL的操作是否正確,如不正確,請(qǐng)改正。字符a和b的數(shù)據(jù)類型是BIT,c是INTEGER,執(zhí)行c<=a+b。
TTL與非門輸入短路電流IIS的參數(shù)規(guī)范值是()。
簡述用譯碼器或多路選擇器實(shí)現(xiàn)組合邏輯電路的不同之處。