單項(xiàng)選擇題用1M×4的DRAM芯片通過（）擴(kuò)展可以獲得4M×8的存儲(chǔ)器。
A.位
B.字
C.復(fù)合
D.位或字
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1.單項(xiàng)選擇題小容量RAM內(nèi)部存儲(chǔ)矩陣的字?jǐn)?shù)與外部地址線數(shù)n的關(guān)系一般為（）
A.2n
B.22n
C.＞22n
D.＜2n
2.單項(xiàng)選擇題如要將一個(gè)最大幅度為5.1V的模擬信號(hào)轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào)，要求輸入每變化20mV，輸出信號(hào)的最低位（LSB）發(fā)生變化，應(yīng)選用（）位ADC。
A.6
B.8
C.10
D.12
3.單項(xiàng)選擇題與倒T形電阻網(wǎng)絡(luò)DAC相比，權(quán)電流網(wǎng)絡(luò)D/A轉(zhuǎn)換器的主要優(yōu)點(diǎn)是消除了（）對(duì)轉(zhuǎn)換精度的影響。
A.網(wǎng)絡(luò)電阻精度
B.模擬開關(guān)導(dǎo)通電阻
C.電流建立時(shí)間
D.加法器
4.問答題試提出數(shù)字頻率計(jì)的三種設(shè)計(jì)方案，比較各種方案的特點(diǎn)。如果用HDPLD來實(shí)現(xiàn)，設(shè)計(jì)方案是最佳嗎？簡述理由。
6.單項(xiàng)選擇題若停電數(shù)分鐘后恢復(fù)供電，（）中的信息能夠保持不變。
A.RAM
B.COMP
C.ROM
D.MUX
7.單項(xiàng)選擇題ROM可以用來存儲(chǔ)程序、表格和大量固定數(shù)據(jù)，但它不可以用來實(shí)現(xiàn)（）。
A.代碼轉(zhuǎn)換
B.邏輯函數(shù)
C.乘法運(yùn)算
D.計(jì)數(shù)器
8.單項(xiàng)選擇題電可擦除的PROM器件是（）
A.EPROM
B.E2PROM
C.PLA
D.PAL
9.單項(xiàng)選擇題采用浮柵技術(shù)的EPROM中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)是（）可擦除的。
A.不
B.紫外線
C.電
D.高壓電
10.單項(xiàng)選擇題27系列EPROM存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)是（）可擦除的。
A.不
B.電
C.紫外線
D.融斷器
最新試題
電可擦除的PROM器件是（）
題型：單項(xiàng)選擇題
如果把D觸發(fā)器的輸出Q反饋連接到輸入D，則輸出Q的脈沖波形的頻率為CP脈沖頻率f的（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
7系列EPROM存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)是（）可擦除的。
題型：單項(xiàng)選擇題
簡述用譯碼器或多路選擇器實(shí)現(xiàn)組合邏輯電路的不同之處。
題型：問答題
以下代碼中為無權(quán)碼的為（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
（）在計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中得到了廣泛的應(yīng)用，其中一個(gè)重要用途是構(gòu)成數(shù)據(jù)總線。
題型：單項(xiàng)選擇題
雙積分型數(shù)字電壓表是否需要取樣-保持電路？請(qǐng)說明理由。
題型：問答題
27系列EPROM存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)是（）可擦除的。
題型：單項(xiàng)選擇題
什么是觸發(fā)器的空翻現(xiàn)象，如何避免空翻？
題型：問答題
試提出數(shù)字頻率計(jì)的三種設(shè)計(jì)方案，比較各種方案的特點(diǎn)。如果用HDPLD來實(shí)現(xiàn)，設(shè)計(jì)方案是最佳嗎？簡述理由。
題型：問答題