單項選擇題扁頂?shù)闹饕夹g(shù)指標中極限壓力應(yīng)為（）。
A.380kN
B.400kN
C.450kN
D.480kN
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1.單項選擇題扁頂法在選定墻體上開槽時，多孔磚砌體腳標之間的距離應(yīng)相隔（）水平灰縫，宜取270-300mm。
A.3
B.4
C.5
D.6
2.單項選擇題扁頂法在選定墻體上開槽時，普通磚砌體腳標之間的距離應(yīng)相隔（）水平灰縫，宜取250mm。
A.3
B.4
C.5
D.6
3.單項選擇題扁頂?shù)闹饕夹g(shù)指標中額定壓力應(yīng)為（）。
A.350kN
B.380kN
C.400kN
D.480kN
4.單項選擇題原位軸壓法正式測試前，應(yīng)取預(yù)估破壞荷載的（）進行加荷載測試。
A.5%
B.10%
C.15%
D.20%
5.單項選擇題原位軸壓法在槽內(nèi)應(yīng)均勻鋪設(shè)濕細砂作為墊層，墊層厚度可?。ǎ?。
A.10mm
B.15mm
C.20mm
D.25mm
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PN結(jié)的基本特性是（）
題型：單項選擇題
可用作硅片的研磨材料是（）
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屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）
題型：單項選擇題
改良西門子法的顯著特點不包括（）
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光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下，產(chǎn)生（）.使材料的電學性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學性質(zhì)的變化，可以知道紅外輻射的強弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測器。
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直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段？（）
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在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。
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下列選項中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）
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載流子的擴散運動產(chǎn)生擴散電流，漂移運動產(chǎn)生（）電流。
題型：單項選擇題