單項(xiàng)選擇題扁頂法在選定墻體上開槽時(shí),多孔磚砌體腳標(biāo)之間的距離應(yīng)相隔()水平灰縫,宜取270-300mm。
A.3
B.4
C.5
D.6
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1.單項(xiàng)選擇題扁頂法在選定墻體上開槽時(shí),普通磚砌體腳標(biāo)之間的距離應(yīng)相隔()水平灰縫,宜取250mm。
A.3
B.4
C.5
D.6
2.單項(xiàng)選擇題扁頂?shù)闹饕夹g(shù)指標(biāo)中額定壓力應(yīng)為()。
A.350kN
B.380kN
C.400kN
D.480kN
3.單項(xiàng)選擇題原位軸壓法正式測試前,應(yīng)取預(yù)估破壞荷載的()進(jìn)行加荷載測試。
A.5%
B.10%
C.15%
D.20%
4.單項(xiàng)選擇題原位軸壓法在槽內(nèi)應(yīng)均勻鋪設(shè)濕細(xì)砂作為墊層,墊層厚度可取()。
A.10mm
B.15mm
C.20mm
D.25mm
5.單項(xiàng)選擇題原位軸壓法開鑿水平槽孔時(shí)普通磚砌體,槽間砌體高度應(yīng)為()皮磚。
A.4
B.5
C.6
D.7
最新試題
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()
題型:單項(xiàng)選擇題
最有效的復(fù)合中心能級(jí)位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級(jí)位置在()附近,常見的是少子陷阱。
題型:單項(xiàng)選擇題
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
題型:單項(xiàng)選擇題
硅片拋光在原理上不可分為()
題型:單項(xiàng)選擇題
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。
題型:單項(xiàng)選擇題
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。
題型:單項(xiàng)選擇題
在光線作用下,能使物體產(chǎn)生一定方向的電動(dòng)勢的現(xiàn)象稱()
題型:單項(xiàng)選擇題
下列是晶體的是()。
題型:單項(xiàng)選擇題
對(duì)于大注入下的直接復(fù)合,非平衡載流子的壽命不再是個(gè)常數(shù),它與()。
題型:單項(xiàng)選擇題
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生擴(kuò)散電流,漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生()電流。
題型:單項(xiàng)選擇題