單項(xiàng)選擇題原位軸壓法正式測(cè)試前，應(yīng)取預(yù)估破壞荷載的（）進(jìn)行加荷載測(cè)試。
A.5%
B.10%
C.15%
D.20%
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1.單項(xiàng)選擇題原位軸壓法在槽內(nèi)應(yīng)均勻鋪設(shè)濕細(xì)砂作為墊層，墊層厚度可取（）。
A.10mm
B.15mm
C.20mm
D.25mm
2.單項(xiàng)選擇題原位軸壓法開(kāi)鑿水平槽孔時(shí)普通磚砌體，槽間砌體高度應(yīng)為（）皮磚。
A.4
B.5
C.6
D.7
3.單項(xiàng)選擇題原位軸壓法所用的600型原位壓力機(jī)額定行程是（）。
A.10mm
B.15mm
C.20mm
D.25mm
4.單項(xiàng)選擇題原位壓力機(jī)的力值應(yīng)每（）校驗(yàn)一次。
A.3個(gè)月
B.5個(gè)月
C.6個(gè)月
D.1年
5.單項(xiàng)選擇題原位軸壓法測(cè)試部位在同一墻體上，測(cè)點(diǎn)多于一個(gè)時(shí)，其水平凈距不得少于（）。
A.1.0m
B.1.2
C.1.5m
D.2.0m
最新試題
下列選項(xiàng)中，對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類(lèi)和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長(zhǎng)過(guò)程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
與半導(dǎo)體相比較，絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）
題型：多項(xiàng)選擇題
可用作硅片的研磨材料是（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
下列是晶體的是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
直拉法生長(zhǎng)單晶硅拉晶過(guò)程有幾個(gè)主要階段？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
PN結(jié)的基本特性是（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題