單項選擇題扁頂法在選定墻體上開槽時，普通磚砌體腳標(biāo)之間的距離應(yīng)相隔（）水平灰縫，宜取250mm。
A.3
B.4
C.5
D.6
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1.單項選擇題扁頂?shù)闹饕夹g(shù)指標(biāo)中額定壓力應(yīng)為（）。
A.350kN
B.380kN
C.400kN
D.480kN
2.單項選擇題原位軸壓法正式測試前，應(yīng)取預(yù)估破壞荷載的（）進行加荷載測試。
A.5%
B.10%
C.15%
D.20%
3.單項選擇題原位軸壓法在槽內(nèi)應(yīng)均勻鋪設(shè)濕細砂作為墊層，墊層厚度可?。ǎ?/a>
A.10mm
B.15mm
C.20mm
D.25mm
4.單項選擇題原位軸壓法開鑿水平槽孔時普通磚砌體，槽間砌體高度應(yīng)為（）皮磚。
A.4
B.5
C.6
D.7
5.單項選擇題原位軸壓法所用的600型原位壓力機額定行程是（）。
A.10mm
B.15mm
C.20mm
D.25mm
最新試題
在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。
題型：單項選擇題
硅片拋光在原理上不可分為（）
題型：單項選擇題
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）
題型：單項選擇題
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs，光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。
題型：單項選擇題
對于大注入下的直接復(fù)合，非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù)，它與（）。
題型：單項選擇題
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時，半導(dǎo)體具有（）半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
題型：單項選擇題
改良西門子法的顯著特點不包括（）
題型：單項選擇題
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）
題型：單項選擇題
最有效的復(fù)合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。
題型：單項選擇題
與半導(dǎo)體相比較，絕緣體的價帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量（）
題型：單項選擇題