單項選擇題PN結(jié)的基本特性是（）
A.單向?qū)щ娦?br />
B.半導(dǎo)性
C.電流放大性
D.絕緣性
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1.單項選擇題光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下，產(chǎn)生（）.使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學(xué)性質(zhì)的變化，可以知道紅外輻射的強弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測器。
A.光子效應(yīng)
B.霍爾效應(yīng)
C.熱電效應(yīng)
D.壓電效應(yīng)
2.單項選擇題在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱（）
A.光電效應(yīng)
B.光生伏特效應(yīng)
C.內(nèi)光電效應(yīng)
D.外光電效應(yīng)
3.單項選擇題硅片拋光在原理上不可分為（）
A.機械拋光法
B.化學(xué)拋光法
C.手工拋光法
D.機械--化學(xué)拋光法
4.單項選擇題可用作硅片的研磨材料是（）
A.AL2O3
B.MGO
C.BA2O3
D.NACL
5.單項選擇題熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）
A.球狀沉淀
B.片狀沉淀
C.棒狀沉淀
D.多面體沉淀
最新試題
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運過程的散射機構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是（）
題型：單項選擇題
可用作硅片的研磨材料是（）
題型：單項選擇題
CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）
題型：單項選擇題
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）
題型：單項選擇題
硅片拋光在原理上不可分為（）
題型：單項選擇題
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs，光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。
題型：單項選擇題
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段？（）
題型：單項選擇題
改良西門子法的顯著特點不包括（）
題型：單項選擇題
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括（）
題型：單項選擇題
在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。
題型：單項選擇題