單項選擇題改良西門子法的顯著特點不包括（）
A.高能耗
B.成本低
C.產(chǎn)量高
D.質(zhì)量穩(wěn)定
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1.單項選擇題多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重摻硅廢料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
A、1234
B、123
C、2457
D、4567
2.單項選擇題直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段？（）
A、6
B、2
C、4
D、5
3.單項選擇題那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）
A、損壞
B、蒸發(fā)
C、坩堝污染
D、分凝
4.單項選擇題下列選項中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）
A、加料—縮頸生長—熔化—放肩生長—等徑生長—尾部生長
B、加料—熔化—縮頸生長—等徑生長—放肩生長—尾部生長
C、加料—熔化—等徑生長—放肩生長—縮頸生長—尾部生長
D、加料—熔化—縮頸生長—放肩生長—等徑生長—尾部生長
5.單項選擇題用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
A、低于
B、等于或大于
C、大于
D、小于或等于
最新試題
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括（）
題型：單項選擇題
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。
題型：單項選擇題
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運過程的散射機構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是（）
題型：單項選擇題
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）
題型：單項選擇題
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）
題型：單項選擇題
改良西門子法的顯著特點不包括（）
題型：單項選擇題
可用作硅片的研磨材料是（）
題型：單項選擇題
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）
題型：單項選擇題
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是（）。
題型：單項選擇題
硅片拋光在原理上不可分為（）
題型：單項選擇題