單項選擇題屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）
A、位錯
B、層錯
C、肖特基缺陷
D、螺旋位錯
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
1.單項選擇題簡述光生伏特效應中正確的是（）
A、用能量小于禁帶寬度的光子照射p-n結；
B、p、n區(qū)都產生電子—空穴對，產生平衡載流子；
C、平衡載流子破壞原來的熱平衡；
D、非平衡載流子在內建電場作用下，n區(qū)空穴向p區(qū)擴散，p區(qū)電子向n區(qū)擴散；若p-n結開路，在結的兩邊積累電子—空穴對，產生開路電壓。
2.單項選擇題單晶硅晶胞常數(shù)為0.543nm，則（111）的面間距是多少？（）
A、0.786nm
B、0.543nm
C、0.941nm
D、0.543nm
3.單項選擇題用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結會產生光生伏特效應。
A、低于
B、等于或大于
C、大于
4.單項選擇題半導體材料的電阻率與載流子濃度有關，同樣的摻雜濃度，載流子的遷移率越大，材料的電阻率（）
A、越高
B、不確定
C、越低
D、不變
5.單項選擇題屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）
A、位錯
B、螺旋位錯
C、肖特基缺陷
D、層錯
最新試題
如在半導體的禁帶中有一個深雜質能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。
題型：單項選擇題
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）
題型：單項選擇題
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）
題型：單項選擇題
可用作硅片的研磨材料是（）
題型：單項選擇題
一塊半導體壽命τ=15µs，光照在材料中會產生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。
題型：單項選擇題
CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）
題型：單項選擇題
下列選項中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）
題型：單項選擇題
最有效的復合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。
題型：單項選擇題
影響單晶內雜質數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質的種類和含量；②雜質的分凝效應；③雜質的蒸發(fā)效應；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內雜質的沾污；⑤加入雜質量；
題型：單項選擇題
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）
題型：單項選擇題