單項選擇題原位軸壓法測試部位在同一墻體上，測點多于一個時，其水平凈距不得少于（）。
A.1.0m
B.1.2
C.1.5m
D.2.0m
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1.單項選擇題原位軸壓法測試部位宜選在墻體中部距樓、地面（）左右的高度處，槽間砌體每側的墻體寬度不應少于1.5m。
A.0.5m
B.1m
C.1.5m
D.1.8m
2.單項選擇題各類磚的取樣檢測，每一檢測單元不應少于（）；應按相應的產(chǎn)品標準，進行磚的抗壓強度試驗和強度等級評定。
A.1組
B.3組
C.5組
D.6組
3.單項選擇題磚柱和寬度小于（）的承重墻，不應選用有較大局部破損的檢測方法。
A.2.4m
B.3.0m
C.3.4m
D.3.6m
4.單項選擇題砌體結構所選用檢測方法和在墻體上選定測點，（）測點可以位于門窗洞口處。
A.燒結磚回彈法
B.原位軸壓法
C.原位單剪法
D.原位雙剪法
5.單項選擇題燒結磚回彈法檢測普通磚和燒結多孔磚強度適用范圍限于（）。
A.5~25MPa
B.6~30MPa
C.10~30MPa
D.15~30MPa
最新試題
用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結會產(chǎn)生光生伏特效應。
題型：單項選擇題
如果雜質既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質稱為（）。
題型：單項選擇題
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）
題型：單項選擇題
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）
題型：單項選擇題
屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）
題型：單項選擇題
雜質半導體中的載流子輸運過程的散射機構中，當溫度升高時，電離雜質散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是（）
題型：單項選擇題
影響單晶內(nèi)雜質數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質的種類和含量；②雜質的分凝效應；③雜質的蒸發(fā)效應；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質的沾污；⑤加入雜質量；
題型：單項選擇題
改良西門子法的顯著特點不包括（）
題型：單項選擇題
PN結的基本特性是（）
題型：單項選擇題
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）
題型：多項選擇題