A.2.4m
B.3.0m
C.3.4m
D.3.6m
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A.燒結(jié)磚回彈法
B.原位軸壓法
C.原位單剪法
D.原位雙剪法
A.5~25MPa
B.6~30MPa
C.10~30MPa
D.15~30MPa
A.1-5MPa
B.1-10MPa
C.1-15MPa
D.1-20MPa
A.原位軸壓法以其直觀方便無需取樣運(yùn)輸?shù)忍攸c(diǎn),具有一定的優(yōu)越性,但采用手動加荷,加荷速度和加荷量不易控制,會造成砌體受力不均和偏心受力
B.周邊砌體對槽間砌體的橫向約束作用靠強(qiáng)度分項(xiàng)系數(shù)修正,誤差較大
C.壓力表讀數(shù)量程偏小,實(shí)測荷載值精度高
D.計算過程繁雜等,存在明顯不足,尚有待有志工程結(jié)構(gòu)檢測的專業(yè)人士進(jìn)一步開發(fā)改進(jìn)。
A.2MPa
B.2.5MPa
C.3MPa
D.4MPa
最新試題
最有效的復(fù)合中心能級位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級位置在()附近,常見的是少子陷阱。
與半導(dǎo)體相比較,絕緣體的價帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量()
PN結(jié)的基本特性是()
下列是晶體的是()。
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是()。
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs,光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動產(chǎn)生擴(kuò)散電流,漂移運(yùn)動產(chǎn)生()電流。
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時,半導(dǎo)體具有()半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
表面態(tài)中性能級位于費(fèi)米能級以上時,該表面態(tài)為();