A.1組
B.3組
C.5組
D.6組
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A.2.4m
B.3.0m
C.3.4m
D.3.6m
A.燒結磚回彈法
B.原位軸壓法
C.原位單剪法
D.原位雙剪法
A.5~25MPa
B.6~30MPa
C.10~30MPa
D.15~30MPa
A.1-5MPa
B.1-10MPa
C.1-15MPa
D.1-20MPa
A.原位軸壓法以其直觀方便無需取樣運輸等特點,具有一定的優(yōu)越性,但采用手動加荷,加荷速度和加荷量不易控制,會造成砌體受力不均和偏心受力
B.周邊砌體對槽間砌體的橫向約束作用靠強度分項系數修正,誤差較大
C.壓力表讀數量程偏小,實測荷載值精度高
D.計算過程繁雜等,存在明顯不足,尚有待有志工程結構檢測的專業(yè)人士進一步開發(fā)改進。
最新試題
光子傳感器是利用某些半導體材料在入射光的照下,產生().使材料的電學性質發(fā)生變化。通過測量電學性質的變化,可以知道紅外輻射的強弱。光子效應所制成的紅外探測器。
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
在光線作用下,能使物體產生一定方向的電動勢的現象稱()
雜質半導體中的載流子輸運過程的散射機構中,當溫度升高時,電離雜質散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是()
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段?()
在通常情況下,GaN呈()型結構。
多晶硅的生產方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重摻硅廢料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()
下列哪個不是單晶常用的晶向()
對于同時存在一種施主雜質和一種受主雜質的均勻摻雜的非簡并半導體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時,半導體具有()半導體的導電特性。