單項(xiàng)選擇題影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應(yīng);③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng);④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;

A.①②④
B.②④⑤
C.①②④⑤
D.①②③④⑤


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1.單項(xiàng)選擇題原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()

A.減小,減小
B.減小,增大
C.增大,增大
D.增大,減小

2.單項(xiàng)選擇題下列哪一個(gè)遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量()

A.漂移遷移率
B.電導(dǎo)遷移率
C.霍爾遷移率
D.磁阻遷移率

3.單項(xiàng)選擇題下列哪個(gè)不是單晶常用的晶向()

A.(100)
B.(001)
C.(111)
D.(110)

4.單項(xiàng)選擇題PN結(jié)的基本特性是()

A.單向?qū)щ娦?br /> B.半導(dǎo)性
C.電流放大性
D.絕緣性