單項(xiàng)選擇題影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應(yīng);③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng);④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;
A.①②④
B.②④⑤
C.①②④⑤
D.①②③④⑤
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1.單項(xiàng)選擇題原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()
A.減小,減小
B.減小,增大
C.增大,增大
D.增大,減小
2.單項(xiàng)選擇題下列哪一個(gè)遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量()
A.漂移遷移率
B.電導(dǎo)遷移率
C.霍爾遷移率
D.磁阻遷移率
3.單項(xiàng)選擇題下列哪個(gè)不是單晶常用的晶向()
A.(100)
B.(001)
C.(111)
D.(110)
4.單項(xiàng)選擇題PN結(jié)的基本特性是()
A.單向?qū)щ娦?br />
B.半導(dǎo)性
C.電流放大性
D.絕緣性
5.單項(xiàng)選擇題光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下,產(chǎn)生().使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學(xué)性質(zhì)的變化,可以知道紅外輻射的強(qiáng)弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測器。
A.光子效應(yīng)
B.霍爾效應(yīng)
C.熱電效應(yīng)
D.壓電效應(yīng)
最新試題
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個(gè)主要階段?()
題型:單項(xiàng)選擇題
硅片拋光在原理上不可分為()
題型:單項(xiàng)選擇題
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶中央,則它對(duì)電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
題型:單項(xiàng)選擇題
對(duì)于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí),半導(dǎo)體具有()半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
題型:單項(xiàng)選擇題
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
題型:單項(xiàng)選擇題
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生擴(kuò)散電流,漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生()電流。
題型:單項(xiàng)選擇題
下列哪一個(gè)遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量()
題型:單項(xiàng)選擇題
下列哪個(gè)不是單晶常用的晶向()
題型:單項(xiàng)選擇題
在光線作用下,能使物體產(chǎn)生一定方向的電動(dòng)勢(shì)的現(xiàn)象稱()
題型:單項(xiàng)選擇題
下列是晶體的是()。
題型:單項(xiàng)選擇題