A、立方體
B、棱柱體
C、圓柱體
D、圓球體
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A、水凍水融
B、氣凍氣融
C、氣凍水融
D、水凍氣融
A、水凍水融
B、氣凍氣融
C、氣凍水融
D、水凍氣融
A、單面凍融法
B、慢凍法
C、雙面凍融法
D、快凍法
A、小于C60強度等級時為0.95
B、小于C60強度等級時為1.05
C、小于C60強度等級時為0.85
D、不小于C60強度等級時應由試驗確定
A、試驗能否得到有效結(jié)果,尚需視折斷面在試件中所處位置而定。
B、同組3個試件測值中,最大值和最小值與中間值的差值均超過中間值的10%時,該組試件的試驗結(jié)果無效。
C、同組3個試件測值中,最大值或最小值如有1個且僅有1個與中間值的差值超過中間值的15%時,取中間值作為該組試件的抗折強度值。
D、不總是能把同組3個試件測值的算術平均值作為該組試件的抗折強度值。
最新試題
如在半導體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括()
表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時,該表面態(tài)為();
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
光子傳感器是利用某些半導體材料在入射光的照下,產(chǎn)生().使材料的電學性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學性質(zhì)的變化,可以知道紅外輻射的強弱。光子效應所制成的紅外探測器。
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是()。
改良西門子法的顯著特點不包括()