A、試驗能否得到有效結(jié)果,尚需視折斷面在試件中所處位置而定。
B、同組3個試件測值中,最大值和最小值與中間值的差值均超過中間值的10%時,該組試件的試驗結(jié)果無效。
C、同組3個試件測值中,最大值或最小值如有1個且僅有1個與中間值的差值超過中間值的15%時,取中間值作為該組試件的抗折強度值。
D、不總是能把同組3個試件測值的算術平均值作為該組試件的抗折強度值。
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A、抗折試驗過程中,加荷速度應前慢后快
B、抗折試驗過程中,加荷速度應前快后慢
C、抗折試驗過程中,加荷應保持均勻、連續(xù)
D、抗折試驗過程中,因砼抗拉性能差,加荷應緩慢進行
A、<C30強度等級的砼加荷速度取每秒0.02~0.05MPa
B、≥C30且<C60強度等級的砼加荷速度取每秒0.05~0.08MPa
C、≥C60強度等級的砼加荷速度取每秒0.08~0.10MPa
D、A、B、C選項都不對
A、小于C60強度等級的邊長100mm試件為0.95
B、小于C60強度等級的邊長200mm試件為1.05
C、小于C60強度等級的邊長100mm試件為0.85
D、不小于C60強度等級的砼應由試驗確定
A、同組3個試件測值中,最大值和最小值與中間值的差值均超過中間值的15%時,該組試件的試驗結(jié)果無效。
B、同組3個試件測值中,最大值和最小值與中間值的差值均超過中間值的10%時,該組試件的試驗結(jié)果無效。
C、同組3個試件測值中,最大值和最小值與中間值的差值均超過中間值的20%時,該組試件的試驗結(jié)果無效。
D、不總是能把同組3個試件測值的算術平均值作為該組試件的劈裂抗拉強度值。
A、邊長100mm的C20級砼加荷速度取每秒0.2~0.5kN
B、邊長100mm的C40級砼加荷速度取每秒0.5~0.8kN
C、邊長100mm的C70級砼加荷速度取每秒0.8~1.0kN
D、邊長150mm的C70級砼加荷速度取每秒1.8~2.25kN
最新試題
下列哪個不是單晶常用的晶向()
光子傳感器是利用某些半導體材料在入射光的照下,產(chǎn)生().使材料的電學性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學性質(zhì)的變化,可以知道紅外輻射的強弱。光子效應所制成的紅外探測器。
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
如在半導體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括()
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應。
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與半導體相比較,絕緣體的價帶電子激發(fā)到導帶所需的能量()
下列選項中,對從石英到單晶硅的工藝流程是()