A、水凍水融
B、氣凍氣融
C、氣凍水融
D、水凍氣融
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A、單面凍融法
B、慢凍法
C、雙面凍融法
D、快凍法
A、小于C60強(qiáng)度等級(jí)時(shí)為0.95
B、小于C60強(qiáng)度等級(jí)時(shí)為1.05
C、小于C60強(qiáng)度等級(jí)時(shí)為0.85
D、不小于C60強(qiáng)度等級(jí)時(shí)應(yīng)由試驗(yàn)確定
A、試驗(yàn)?zāi)芊竦玫接行ЫY(jié)果，尚需視折斷面在試件中所處位置而定。
B、同組3個(gè)試件測(cè)值中，最大值和最小值與中間值的差值均超過(guò)中間值的10%時(shí)，該組試件的試驗(yàn)結(jié)果無(wú)效。
C、同組3個(gè)試件測(cè)值中，最大值或最小值如有1個(gè)且僅有1個(gè)與中間值的差值超過(guò)中間值的15%時(shí)，取中間值作為該組試件的抗折強(qiáng)度值。
D、不總是能把同組3個(gè)試件測(cè)值的算術(shù)平均值作為該組試件的抗折強(qiáng)度值。
A、抗折試驗(yàn)過(guò)程中，加荷速度應(yīng)前慢后快
B、抗折試驗(yàn)過(guò)程中，加荷速度應(yīng)前快后慢
C、抗折試驗(yàn)過(guò)程中，加荷應(yīng)保持均勻、連續(xù)
D、抗折試驗(yàn)過(guò)程中，因砼抗拉性能差，加荷應(yīng)緩慢進(jìn)行
A、＜C30強(qiáng)度等級(jí)的砼加荷速度取每秒0.02～0.05MPa
B、≥C30且＜C60強(qiáng)度等級(jí)的砼加荷速度取每秒0.05～0.08MPa
C、≥C60強(qiáng)度等級(jí)的砼加荷速度取每秒0.08～0.10MPa
D、A、B、C選項(xiàng)都不對(duì)
最新試題
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類(lèi)和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長(zhǎng)過(guò)程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
下列是晶體的是（）。
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重?fù)焦鑿U料提純法4）西門(mén)子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生擴(kuò)散電流，漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生（）電流。
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括（）
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs，光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來(lái)的（）。
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）
表面態(tài)中性能級(jí)位于費(fèi)米能級(jí)以上時(shí)，該表面態(tài)為（）；