A、水凍水融
B、氣凍氣融
C、氣凍水融
D、水凍氣融
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A、水凍水融
B、氣凍氣融
C、氣凍水融
D、水凍氣融
A、單面凍融法
B、慢凍法
C、雙面凍融法
D、快凍法
A、小于C60強度等級時為0.95
B、小于C60強度等級時為1.05
C、小于C60強度等級時為0.85
D、不小于C60強度等級時應由試驗確定
A、試驗能否得到有效結(jié)果,尚需視折斷面在試件中所處位置而定。
B、同組3個試件測值中,最大值和最小值與中間值的差值均超過中間值的10%時,該組試件的試驗結(jié)果無效。
C、同組3個試件測值中,最大值或最小值如有1個且僅有1個與中間值的差值超過中間值的15%時,取中間值作為該組試件的抗折強度值。
D、不總是能把同組3個試件測值的算術(shù)平均值作為該組試件的抗折強度值。
A、抗折試驗過程中,加荷速度應前慢后快
B、抗折試驗過程中,加荷速度應前快后慢
C、抗折試驗過程中,加荷應保持均勻、連續(xù)
D、抗折試驗過程中,因砼抗拉性能差,加荷應緩慢進行
最新試題
把磷化鎵在氮氣氛中退火,會有氮取代部分的磷,這會在磷化鎵中出現(xiàn)()。
對于大注入下的直接復合,非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù),它與()。
雜質(zhì)半導體中的載流子輸運過程的散射機構(gòu)中,當溫度升高時,電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是()
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括()
載流子的擴散運動產(chǎn)生擴散電流,漂移運動產(chǎn)生()電流。
在光線作用下,能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱()
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
可用作硅片的研磨材料是()
下列是晶體的是()。
下列哪個不是單晶常用的晶向()