A、單面凍融法
B、慢凍法
C、雙面凍融法
D、快凍法
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A、小于C60強(qiáng)度等級時為0.95
B、小于C60強(qiáng)度等級時為1.05
C、小于C60強(qiáng)度等級時為0.85
D、不小于C60強(qiáng)度等級時應(yīng)由試驗(yàn)確定
A、試驗(yàn)?zāi)芊竦玫接行ЫY(jié)果,尚需視折斷面在試件中所處位置而定。
B、同組3個試件測值中,最大值和最小值與中間值的差值均超過中間值的10%時,該組試件的試驗(yàn)結(jié)果無效。
C、同組3個試件測值中,最大值或最小值如有1個且僅有1個與中間值的差值超過中間值的15%時,取中間值作為該組試件的抗折強(qiáng)度值。
D、不總是能把同組3個試件測值的算術(shù)平均值作為該組試件的抗折強(qiáng)度值。
A、抗折試驗(yàn)過程中,加荷速度應(yīng)前慢后快
B、抗折試驗(yàn)過程中,加荷速度應(yīng)前快后慢
C、抗折試驗(yàn)過程中,加荷應(yīng)保持均勻、連續(xù)
D、抗折試驗(yàn)過程中,因砼抗拉性能差,加荷應(yīng)緩慢進(jìn)行
A、<C30強(qiáng)度等級的砼加荷速度取每秒0.02~0.05MPa
B、≥C30且<C60強(qiáng)度等級的砼加荷速度取每秒0.05~0.08MPa
C、≥C60強(qiáng)度等級的砼加荷速度取每秒0.08~0.10MPa
D、A、B、C選項(xiàng)都不對
A、小于C60強(qiáng)度等級的邊長100mm試件為0.95
B、小于C60強(qiáng)度等級的邊長200mm試件為1.05
C、小于C60強(qiáng)度等級的邊長100mm試件為0.85
D、不小于C60強(qiáng)度等級的砼應(yīng)由試驗(yàn)確定
最新試題
下列哪個不是單晶常用的晶向()
可用作硅片的研磨材料是()
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs,光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
硅片拋光在原理上不可分為()
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括()
下列是晶體的是()。
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應(yīng);③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng);④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括()