A、<C30強(qiáng)度等級的砼加荷速度取每秒0.02~0.05MPa
B、≥C30且<C60強(qiáng)度等級的砼加荷速度取每秒0.05~0.08MPa
C、≥C60強(qiáng)度等級的砼加荷速度取每秒0.08~0.10MPa
D、A、B、C選項(xiàng)都不對
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A、小于C60強(qiáng)度等級的邊長100mm試件為0.95
B、小于C60強(qiáng)度等級的邊長200mm試件為1.05
C、小于C60強(qiáng)度等級的邊長100mm試件為0.85
D、不小于C60強(qiáng)度等級的砼應(yīng)由試驗(yàn)確定
A、同組3個(gè)試件測值中,最大值和最小值與中間值的差值均超過中間值的15%時(shí),該組試件的試驗(yàn)結(jié)果無效。
B、同組3個(gè)試件測值中,最大值和最小值與中間值的差值均超過中間值的10%時(shí),該組試件的試驗(yàn)結(jié)果無效。
C、同組3個(gè)試件測值中,最大值和最小值與中間值的差值均超過中間值的20%時(shí),該組試件的試驗(yàn)結(jié)果無效。
D、不總是能把同組3個(gè)試件測值的算術(shù)平均值作為該組試件的劈裂抗拉強(qiáng)度值。
A、邊長100mm的C20級砼加荷速度取每秒0.2~0.5kN
B、邊長100mm的C40級砼加荷速度取每秒0.5~0.8kN
C、邊長100mm的C70級砼加荷速度取每秒0.8~1.0kN
D、邊長150mm的C70級砼加荷速度取每秒1.8~2.25kN
A、<C30強(qiáng)度等級的砼加荷速度取每秒0.3~0.5MPa
B、<C30強(qiáng)度等級的砼加荷速度取每秒0.02~0.05MPa
C、≥C60強(qiáng)度等級的砼加荷速度取每秒0.8~1.0MPa
D、≥C60強(qiáng)度等級的砼加荷速度取每秒0.08~0.10MPa
A、試件承壓面
B、試驗(yàn)機(jī)壓板面
C、試件底面
D、試件劈裂面
最新試題
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括()
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()
只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是()。
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括()
最有效的復(fù)合中心能級位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級位置在()附近,常見的是少子陷阱。
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
下列哪一個(gè)遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量()
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應(yīng);③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng);④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;