A.不需要坩堝
B.避免了容器污染
C.更易獲得高純度硅
D.成本低
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A.鈍化晶界
B.鈍化錯(cuò)位
C.鈍化電活性雜質(zhì)
A.頭尾料和鍋底料中含有的氧
B.晶體生長(zhǎng)過程中硅熔體與石英坩堝作用引入的氧
C.石墨加熱器與坩堝反應(yīng)引入的氧
D.外界空氣的進(jìn)入
A.氧及其相關(guān)缺陷
B.參雜濃度
C.以間隙鐵為主的過渡族金屬雜質(zhì)
D.材料中的缺陷密度及其分布
A.高能耗
B.成本低
C.產(chǎn)量高
D.質(zhì)量穩(wěn)定
A、1234
B、123
C、2457
D、4567
最新試題
在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長(zhǎng)過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）
可用作硅片的研磨材料是（）
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。
下列哪個(gè)不是單晶常用的晶向（）
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時(shí)，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動(dòng)聲子的散射概率的變化分別是（）
表面態(tài)中性能級(jí)位于費(fèi)米能級(jí)以上時(shí)，該表面態(tài)為（）；
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生擴(kuò)散電流，漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生（）電流。