單項選擇題混凝土小型空心砌塊試驗方法（GB/T4111-1997）標準中含水率、吸水率和相對含水率試驗中吸水率精確至（）。
A、1%
B、2%
C、0.1%
D、0.5%
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1.單項選擇題混凝土小型空心砌塊試驗方法（GB/T4111-1997）標準中含水率、吸水率和相對含水率試驗中含水率精確至（）。
A、1%
B、2%
C、0.1%
D、0.5%
2.單項選擇題混凝土小型空心砌塊試驗方法（GB/T4111-1997）標準中塊體密度試驗中空心率精確至（）。
A、1%
B、2%
C、0.1%
D、0.5%
3.單項選擇題混凝土小型空心砌塊試驗方法（GB/T4111-1997）標準中塊體密度試驗中質(zhì)量精確至（）。
A、0.01kg
B、0.05kg
C、0.005kg
D、0.001kg
4.單項選擇題混凝土小型空心砌塊試驗方法（GB/T4111-1997）標準抗折強度試件加荷速度為（）。
A、250N/s
B、100N/s
C、300kN/s
D、1000N/s
5.單項選擇題混凝土小型空心砌塊試驗方法（GB/T4111-1997）標準抗壓強度試件加荷速度為（）。
A、1～3kN/s
B、10～30kN/s
C、1～30kN/s
D、3～10kN/s
最新試題
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重摻硅廢料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
題型：單項選擇題
改良西門子法的顯著特點不包括（）
題型：單項選擇題
載流子的擴散運動產(chǎn)生擴散電流，漂移運動產(chǎn)生（）電流。
題型：單項選擇題
與半導體相比較，絕緣體的價帶電子激發(fā)到導帶所需的能量（）
題型：單項選擇題
屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）
題型：單項選擇題
一塊半導體壽命τ=15µs，光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。
題型：單項選擇題
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括（）
題型：單項選擇題
可用作硅片的研磨材料是（）
題型：單項選擇題
如在半導體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。
題型：單項選擇題
下列哪個不是單晶常用的晶向（）
題型：單項選擇題