單項選擇題混凝土小型空心砌塊試驗方法（GB/T4111-1997）標(biāo)準(zhǔn)抗壓強度試件加荷速度為（）。
A、1～3kN/s
B、10～30kN/s
C、1～30kN/s
D、3～10kN/s
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1.單項選擇題混凝土小型空心砌塊試驗方法（GB/T4111-1997）標(biāo)準(zhǔn)抗壓強度試件制備一般用坐漿法，其漿面厚度一般為（）。
A、1～3mm
B、1～5mm
C、3～5mm
D、5～8mm
2.單項選擇題混凝土小型空心砌塊試驗方法（GB/T4111-1997）標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定尺寸測量的精度要求為（）。
A、0.5mm
B、0.1mm
C、1mm
D、5mm
3.單項選擇題砌墻磚試驗方法（GB/T2542-2003）標(biāo)準(zhǔn)中磚的傳熱系數(shù)測定中，試件制備好后，應(yīng)在環(huán)境溫度（），相對濕度（）的不通風(fēng)室內(nèi)靜置7d。
A、（20±3）℃.（60±20）%
B、（20±3）.℃90%以上
C、（20±1）℃.（60±20）%
D、（20±1）℃.90%以上
4.單項選擇題砌墻磚試驗方法（GB/T2542-2003）標(biāo)準(zhǔn)中磚的傳熱系數(shù)測定中，試件厚度為試件的實際使用厚度，試件邊長為其厚度的（）倍。
A、1
B、2
C、3
D、4
5.單項選擇題砌墻磚試驗方法（GB/T2542-2003）標(biāo)準(zhǔn)中磚的吸水率試驗飽和系數(shù)試驗稱量沸煮（）的濕質(zhì)量來進行計算。
A、3h
B、5h
C、1h
D、2h
最新試題
在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。
題型：單項選擇題
最有效的復(fù)合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。
題型：單項選擇題
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段？（）
題型：單項選擇題
硅片拋光在原理上不可分為（）
題型：單項選擇題
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）
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熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）
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改良西門子法的顯著特點不包括（）
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如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。
題型：單項選擇題
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。
題型：單項選擇題
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重摻硅廢料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
題型：單項選擇題