單項選擇題混凝土小型空心砌塊試驗方法（GB/T4111-1997）標準抗折強度試件加荷速度為（）。
A、250N/s
B、100N/s
C、300kN/s
D、1000N/s
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1.單項選擇題混凝土小型空心砌塊試驗方法（GB/T4111-1997）標準抗壓強度試件加荷速度為（）。
A、1～3kN/s
B、10～30kN/s
C、1～30kN/s
D、3～10kN/s
2.單項選擇題混凝土小型空心砌塊試驗方法（GB/T4111-1997）標準抗壓強度試件制備一般用坐漿法，其漿面厚度一般為（）。
A、1～3mm
B、1～5mm
C、3～5mm
D、5～8mm
3.單項選擇題混凝土小型空心砌塊試驗方法（GB/T4111-1997）標準規(guī)定尺寸測量的精度要求為（）。
A、0.5mm
B、0.1mm
C、1mm
D、5mm
4.單項選擇題砌墻磚試驗方法（GB/T2542-2003）標準中磚的傳熱系數(shù)測定中，試件制備好后，應在環(huán)境溫度（），相對濕度（）的不通風室內(nèi)靜置7d。
A、（20±3）℃.（60±20）%
B、（20±3）.℃90%以上
C、（20±1）℃.（60±20）%
D、（20±1）℃.90%以上
5.單項選擇題砌墻磚試驗方法（GB/T2542-2003）標準中磚的傳熱系數(shù)測定中，試件厚度為試件的實際使用厚度，試件邊長為其厚度的（）倍。
A、1
B、2
C、3
D、4
最新試題
在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱（）
題型：單項選擇題
把磷化鎵在氮氣氛中退火，會有氮取代部分的磷，這會在磷化鎵中出現(xiàn)（）。
題型：單項選擇題
與半導體相比較，絕緣體的價帶電子激發(fā)到導帶所需的能量（）
題型：單項選擇題
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
題型：單項選擇題
下列選項中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）
題型：單項選擇題
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）
題型：單項選擇題
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）
題型：單項選擇題
載流子的擴散運動產(chǎn)生擴散電流，漂移運動產(chǎn)生（）電流。
題型：單項選擇題
表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時，該表面態(tài)為（）；
題型：單項選擇題
如在半導體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。
題型：單項選擇題