影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；

對于大注入下的直接復(fù)合，非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù)，它與（）。

原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）

下列選項中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）

屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）

懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括（）

制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）

載流子的擴散運動產(chǎn)生擴散電流，漂移運動產(chǎn)生（）電流。

把磷化鎵在氮氣氛中退火，會有氮取代部分的磷，這會在磷化鎵中出現(xiàn)（）。

熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）