單項(xiàng)選擇題混凝土小型空心砌塊試驗(yàn)方法(GB/T4111-1997)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定尺寸測(cè)量的精度要求為()。
A、0.5mm
B、0.1mm
C、1mm
D、5mm
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1.單項(xiàng)選擇題砌墻磚試驗(yàn)方法(GB/T2542-2003)標(biāo)準(zhǔn)中磚的傳熱系數(shù)測(cè)定中,試件制備好后,應(yīng)在環(huán)境溫度(),相對(duì)濕度()的不通風(fēng)室內(nèi)靜置7d。
A、(20±3)℃.(60±20)%
B、(20±3).℃90%以上
C、(20±1)℃.(60±20)%
D、(20±1)℃.90%以上
2.單項(xiàng)選擇題砌墻磚試驗(yàn)方法(GB/T2542-2003)標(biāo)準(zhǔn)中磚的傳熱系數(shù)測(cè)定中,試件厚度為試件的實(shí)際使用厚度,試件邊長(zhǎng)為其厚度的()倍。
A、1
B、2
C、3
D、4
3.單項(xiàng)選擇題砌墻磚試驗(yàn)方法(GB/T2542-2003)標(biāo)準(zhǔn)中磚的吸水率試驗(yàn)飽和系數(shù)試驗(yàn)稱量沸煮()的濕質(zhì)量來進(jìn)行計(jì)算。
A、3h
B、5h
C、1h
D、2h
4.單項(xiàng)選擇題砌墻磚試驗(yàn)方法(GB/T2542-2003)標(biāo)準(zhǔn)中磚的吸水率試驗(yàn)中常溫水浸泡24h的常溫是指()。
A、10℃~20℃
B、10℃~30℃
C、20℃~30℃
D、0℃~30℃
5.單項(xiàng)選擇題砌墻磚試驗(yàn)方法(GB/T2542-2003)標(biāo)準(zhǔn)中磚的泛霜試驗(yàn),一般燒結(jié)普通磚用(),燒結(jié)多孔磚用(),燒結(jié)空心磚用()進(jìn)行試驗(yàn)。
A、整磚.1/2磚.1/4磚
B、整磚.1/2磚.1/2磚
C、整磚.整磚.1/2磚或1/4
D、整磚.整磚.整磚
最新試題
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶中央,則它對(duì)電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
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雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中,當(dāng)溫度升高時(shí),電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動(dòng)聲子的散射概率的變化分別是()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重?fù)焦鑿U料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題