單項選擇題以下有關(guān)縱波斜入射至側(cè)壁的描述；哪個是正確的（）

A.由于分離出較強的橫波，縱波反射系數(shù)很低
B.由于分離出較強的橫波，縱波衰減嚴重
C.由于分離出較強的橫波，可以接收到反射橫波
D.以上都是


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1.單項選擇題以下有關(guān)雙晶片探頭（聯(lián)合雙探頭）的描述，哪個是正確的（）

A.存在聲能集中區(qū)
B.下盲區(qū)小
C.掃查時，隔聲層應盡量與缺陷方向垂直
D.以上都是

2.單項選擇題沿試塊上表面?zhèn)鞑サ谋砻娌▽l(fā)生以下哪種情況（）

A.在尖銳的邊緣拐角發(fā)生繞射
B.在尖銳的邊緣拐角發(fā)生反射
C.被尖銳的邊緣拐角吸收
D.以上都可能發(fā)生

3.單項選擇題考慮傳輸修正的理由是（）

A.被檢工件太厚
B.工件底面與探測面不平行
C.工件與試塊材質(zhì)或表面光潔度有差異
D.以上都是

4.單項選擇題以下有關(guān)利用底波高度法評定缺陷的描述，哪個是正確的（）

A.可利用缺陷的陰影效果進行評價
B.可不考慮傳輸修正
C.常用于對缺陷定量不嚴格的工件
D.有助于檢測因缺陷形狀等原因使反射信號減弱的大缺陷

5.單項選擇題用超聲波探傷法檢查缺陷，是通過測定下面哪種變化（）

A.超聲波的波長
B.超聲波在物質(zhì)中的速度
C.超聲波的能量
D.超聲波的頻率