單項(xiàng)選擇題以下有關(guān)雙晶片探頭(聯(lián)合雙探頭)的描述,哪個是正確的()

A.存在聲能集中區(qū)
B.下盲區(qū)小
C.掃查時,隔聲層應(yīng)盡量與缺陷方向垂直
D.以上都是


您可能感興趣的試卷

你可能感興趣的試題

1.單項(xiàng)選擇題沿試塊上表面?zhèn)鞑サ谋砻娌▽l(fā)生以下哪種情況()

A.在尖銳的邊緣拐角發(fā)生繞射
B.在尖銳的邊緣拐角發(fā)生反射
C.被尖銳的邊緣拐角吸收
D.以上都可能發(fā)生

2.單項(xiàng)選擇題考慮傳輸修正的理由是()

A.被檢工件太厚
B.工件底面與探測面不平行
C.工件與試塊材質(zhì)或表面光潔度有差異
D.以上都是

3.單項(xiàng)選擇題以下有關(guān)利用底波高度法評定缺陷的描述,哪個是正確的()

A.可利用缺陷的陰影效果進(jìn)行評價(jià)
B.可不考慮傳輸修正
C.常用于對缺陷定量不嚴(yán)格的工件
D.有助于檢測因缺陷形狀等原因使反射信號減弱的大缺陷

4.單項(xiàng)選擇題用超聲波探傷法檢查缺陷,是通過測定下面哪種變化()

A.超聲波的波長
B.超聲波在物質(zhì)中的速度
C.超聲波的能量
D.超聲波的頻率

5.單項(xiàng)選擇題調(diào)整探傷靈敏度的目的是()

A.要求檢出最小的缺陷
B.要求檢出所有部位的缺陷
C.確定合理的探傷條件
D.避免人為因素的影響