影響單晶內雜質數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質的種類和含量；②雜質的分凝效應；③雜質的蒸發(fā)效應；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內雜質的沾污；⑤加入雜質量；

一塊半導體壽命τ=15µs，光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。

熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）

在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱（）

下列是晶體的是（）。 

懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括（）

與半導體相比較，絕緣體的價帶電子激發(fā)到導帶所需的能量（）

只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是（）。 

改良西門子法的顯著特點不包括（）

可用作硅片的研磨材料是（）