原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）

CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）

如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。

最有效的復(fù)合中心能級(jí)位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級(jí)位置在（）附近，常見的是少子陷阱。

下列哪一個(gè)遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）

在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。

屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）

一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs，光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。

硅片拋光在原理上不可分為（）

對(duì)于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí)，半導(dǎo)體具有（）半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。