下列是晶體的是（）。 

懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括（）

鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）

屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）

鑄造多晶硅中的氧主要來(lái)源不包括（）

如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。

CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）

雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過(guò)程的散射機(jī)構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時(shí)，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動(dòng)聲子的散射概率的變化分別是（）

可用作硅片的研磨材料是（）

如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶中央，則它對(duì)電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。