單項選擇題對于鑄造多晶硅氧濃度越（），鈍化效果越（），少數(shù)載流子壽命增加越（）
A.低，好，多
B.低，好，少
C.低，差，多
D.高，好，多
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1.單項選擇題在我國通常稱為工業(yè)硅或冶金級硅含量在（）以上。
A.90%
B.92%
C.95%
D.97%
2.單項選擇題晶體的生長方式在人工制備中用的比較少的是（）
A.固相生長
B.液相生長
C.氣相生長
3.單項選擇題下列是晶體的是（）
A.玻璃
B.硅
C.松香
D.塑料
4.單項選擇題只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是（）
A、線缺陷
B、面缺陷
C、點缺陷
D、體缺陷
5.單項選擇題硅單質(zhì)是（）
A、半導(dǎo)體
B、導(dǎo)體
C、絕緣體
最新試題
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）
題型：單項選擇題
屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）
題型：單項選擇題
可用作硅片的研磨材料是（）
題型：單項選擇題
PN結(jié)的基本特性是（）
題型：單項選擇題
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）
題型：單項選擇題
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）
題型：單項選擇題
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時，半導(dǎo)體具有（）半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
題型：單項選擇題
把磷化鎵在氮氣氛中退火，會有氮取代部分的磷，這會在磷化鎵中出現(xiàn)（）。
題型：單項選擇題
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括（）
題型：單項選擇題
在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱（）
題型：單項選擇題