單項選擇題在我國通常稱為工業(yè)硅或冶金級硅含量在()以上。
A.90%
B.92%
C.95%
D.97%
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1.單項選擇題晶體的生長方式在人工制備中用的比較少的是()
A.固相生長
B.液相生長
C.氣相生長
2.單項選擇題下列是晶體的是()
A.玻璃
B.硅
C.松香
D.塑料
3.單項選擇題只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是()
A、線缺陷
B、面缺陷
C、點缺陷
D、體缺陷
4.單項選擇題硅單質(zhì)是()
A、半導體
B、導體
C、絕緣體
5.問答題簡述影響碳酸鈣分解速度的因素。
最新試題
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段?()
題型:單項選擇題
下列選項中,對從石英到單晶硅的工藝流程是()
題型:單項選擇題
如在半導體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
題型:單項選擇題
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時,半導體具有()半導體的導電特性。
題型:單項選擇題
與半導體相比較,絕緣體的價帶電子激發(fā)到導帶所需的能量()
題型:單項選擇題
硅片拋光在原理上不可分為()
題型:單項選擇題
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
題型:單項選擇題
可用作硅片的研磨材料是()
題型:單項選擇題
PN結(jié)的基本特性是()
題型:單項選擇題
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()
題型:單項選擇題