單項(xiàng)選擇題陶瓷的主要原料包括（）。
A、粘土
B、高嶺石
C、蒙脫石
D、以上全是
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1.單項(xiàng)選擇題陶瓷?；纱善诘钠鹗紲囟仁牵ǎ?/a>
A、800℃
B、850℃
C、900℃
D、950℃
2.單項(xiàng)選擇題回轉(zhuǎn)窯中溫度最高的是（）。
A、分解帶
B、放熱反應(yīng)帶
C、燒成帶
D、預(yù)熱帶
3.單項(xiàng)選擇題在硅酸鹽水泥熟料的煅燒中固相反應(yīng)影響因素不包括（）。
A、溫度和反應(yīng)時(shí)間
Ｂ、生料的細(xì)度及均勻性
C、原料的性質(zhì)
D、燒成設(shè)備
4.單項(xiàng)選擇題（）一般不用于水泥生產(chǎn)。
A、回轉(zhuǎn)窯
B、立窯
Ｃ、隧道窯
D、立波爾窯
5.單項(xiàng)選擇題不屬于高溫加工過(guò)程中的三種方式的是（）。
A、煅燒
B、燒成
C、熔化
D、燒結(jié)
最新試題
對(duì)于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡(jiǎn)并半導(dǎo)體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí)，半導(dǎo)體具有（）半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
PN結(jié)的基本特性是（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
與半導(dǎo)體相比較，絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
硅片拋光在原理上不可分為（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重?fù)焦鑿U料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）
題型：多項(xiàng)選擇題
用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會(huì)產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題