單項選擇題回轉(zhuǎn)窯中溫度最高的是()。
A、分解帶
B、放熱反應帶
C、燒成帶
D、預熱帶
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1.單項選擇題在硅酸鹽水泥熟料的煅燒中固相反應影響因素不包括()。
A、溫度和反應時間
B、生料的細度及均勻性
C、原料的性質(zhì)
D、燒成設備
2.單項選擇題()一般不用于水泥生產(chǎn)。
A、回轉(zhuǎn)窯
B、立窯
C、隧道窯
D、立波爾窯
3.單項選擇題不屬于高溫加工過程中的三種方式的是()。
A、煅燒
B、燒成
C、熔化
D、燒結(jié)
4.單項選擇題高嶺土(Al2O3·2SiO2·2H2O)中的H2O是:()
A、化學結(jié)合水
B、物理化學結(jié)合水
C、機械結(jié)合水
D、物理結(jié)合水
5.單項選擇題國家標準規(guī)定水泥生產(chǎn)要控制SO3含量不得超過()。
A、3.5%
B、5.5%
C、7.5%
D、10%
最新試題
可用作硅片的研磨材料是()
題型:單項選擇題
下列是晶體的是()。
題型:單項選擇題
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是()。
題型:單項選擇題
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時,半導體具有()半導體的導電特性。
題型:單項選擇題
一塊半導體壽命τ=15µs,光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。
題型:單項選擇題
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
題型:單項選擇題
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應;③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應;④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;
題型:單項選擇題
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括()
題型:單項選擇題
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。
題型:單項選擇題
載流子的擴散運動產(chǎn)生擴散電流,漂移運動產(chǎn)生()電流。
題型:單項選擇題