A、回轉(zhuǎn)窯
B、立窯
C、隧道窯
D、立波爾窯
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A、煅燒
B、燒成
C、熔化
D、燒結(jié)
A、化學(xué)結(jié)合水
B、物理化學(xué)結(jié)合水
C、機械結(jié)合水
D、物理結(jié)合水
A、3.5%
B、5.5%
C、7.5%
D、10%
A、30℃
B、300℃
C、1200℃
D、1350℃
A、熟料
B、石膏
C、混合材
D、石灰石
最新試題
可用作硅片的研磨材料是()
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重摻硅廢料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs,光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
在光線作用下,能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱()
光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下,產(chǎn)生().使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學(xué)性質(zhì)的變化,可以知道紅外輻射的強弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測器。
表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時,該表面態(tài)為();
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段?()
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運過程的散射機構(gòu)中,當溫度升高時,電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是()