改良西門子法的顯著特點不包括（）

熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）

屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）

多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重摻硅廢料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法

直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段？（）

表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時，該表面態(tài)為（）；

對于大注入下的直接復合，非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù)，它與（）。

把磷化鎵在氮氣氛中退火，會有氮取代部分的磷，這會在磷化鎵中出現(xiàn)（）。

在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。

下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）