屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）

如在半導體的禁帶中有一個深雜質能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。

影響單晶內雜質數量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質的種類和含量；②雜質的分凝效應；③雜質的蒸發(fā)效應；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內雜質的沾污；⑤加入雜質量；

下列選項中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）

光子傳感器是利用某些半導體材料在入射光的照下，產生（）.使材料的電學性質發(fā)生變化。通過測量電學性質的變化，可以知道紅外輻射的強弱。光子效應所制成的紅外探測器。  

最有效的復合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。

在通常情況下，GaN呈（）型結構。

直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段？（）

熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）

PN結的基本特性是（）