CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）

在通常情況下，GaN呈（）型結構。

在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱（）

懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括（）

多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重摻硅廢料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法

制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）

用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結會產(chǎn)生光生伏特效應。

那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）

最有效的復合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。

下列選項中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）