表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時，該表面態(tài)為（）；

一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs，光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。

對于大注入下的直接復(fù)合，非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù)，它與（）。

改良西門子法的顯著特點不包括（）

鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）

多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重摻硅廢料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法

只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是（）。 

屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）

雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運過程的散射機構(gòu)中，當溫度升高時，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是（）

用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。