下列選項中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）

懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括（）

屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）

改良西門子法的顯著特點不包括（）

最有效的復(fù)合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。

可用作硅片的研磨材料是（）

如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。

下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）

硅片拋光在原理上不可分為（）

在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。