屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）

表面態(tài)中性能級(jí)位于費(fèi)米能級(jí)以上時(shí)，該表面態(tài)為（）；

對(duì)于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡(jiǎn)并半導(dǎo)體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí)，半導(dǎo)體具有（）半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。

原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）

雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時(shí)，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動(dòng)聲子的散射概率的變化分別是（）

只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是（）。 

制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）

懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括（）

鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）

下列選項(xiàng)中，對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是（）