單項選擇題扁頂法的特點有（）。
A.屬原位檢測，直接在墻體上測試，測試結(jié)果綜合反映了材料質(zhì)量和施工質(zhì)
B.直觀性，可比性強
C.砌體強度較高或軸向變形較大時，容易測出抗壓強度
D.檢測部位局部破損
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
1.單項選擇題砌筑基礎(chǔ)前，應(yīng)校核防線尺寸，長度L或?qū)挾菳≤30m的尺寸允許偏差為（）。
A.±5mm
B.±10mm
C.±15mm
D.±20mm
2.單項選擇題各種檢測強度的最終計算或推定結(jié)果，砌體的抗壓強度和抗剪強度均應(yīng)精確至（）。
A.0.01MPa
B.0.05MPa
C.0.1MPa
D.0.5MPa
3.單項選擇題檢測數(shù)據(jù)中的歧離值和統(tǒng)計離群值，應(yīng)按《GB/T4883》中有關(guān)檢驗法檢出和剔除，檢出水平a應(yīng)?。ǎ?。
A.0.02
B.0.03
C.0.04
D.0.05
4.單項選擇題燒結(jié)磚回彈法相鄰兩彈擊點的間距不應(yīng)小于（），每一彈擊點應(yīng)只能彈擊一次。
A.10mm
B.15mm
C.20mm
D.25mm
5.單項選擇題燒結(jié)磚回彈法在每塊磚的側(cè)面上應(yīng)均勻布置（）彈擊點，選定彈擊點時應(yīng)避開磚表面的缺陷。
A.5個
B.6個
C.8個
D.10個
最新試題
光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下，產(chǎn)生（）.使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學(xué)性質(zhì)的變化，可以知道紅外輻射的強弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測器。
題型：單項選擇題
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段？（）
題型：單項選擇題
最有效的復(fù)合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。
題型：單項選擇題
CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）
題型：單項選擇題
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）
題型：單項選擇題
下列是晶體的是（）。
題型：單項選擇題
下列選項中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）
題型：單項選擇題
在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。
題型：單項選擇題
屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）
題型：單項選擇題
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重摻硅廢料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
題型：單項選擇題