單項(xiàng)選擇題砌筑基礎(chǔ)前，應(yīng)校核防線尺寸，長度L或?qū)挾菳≤30m的尺寸允許偏差為（）。
A.±5mm
B.±10mm
C.±15mm
D.±20mm
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1.單項(xiàng)選擇題各種檢測強(qiáng)度的最終計(jì)算或推定結(jié)果，砌體的抗壓強(qiáng)度和抗剪強(qiáng)度均應(yīng)精確至（）。
A.0.01MPa
B.0.05MPa
C.0.1MPa
D.0.5MPa
2.單項(xiàng)選擇題檢測數(shù)據(jù)中的歧離值和統(tǒng)計(jì)離群值，應(yīng)按《GB/T4883》中有關(guān)檢驗(yàn)法檢出和剔除，檢出水平a應(yīng)取（）。
A.0.02
B.0.03
C.0.04
D.0.05
3.單項(xiàng)選擇題燒結(jié)磚回彈法相鄰兩彈擊點(diǎn)的間距不應(yīng)小于（），每一彈擊點(diǎn)應(yīng)只能彈擊一次。
A.10mm
B.15mm
C.20mm
D.25mm
4.單項(xiàng)選擇題燒結(jié)磚回彈法在每塊磚的側(cè)面上應(yīng)均勻布置（）彈擊點(diǎn)，選定彈擊點(diǎn)時(shí)應(yīng)避開磚表面的缺陷。
A.5個(gè)
B.6個(gè)
C.8個(gè)
D.10個(gè)
5.單項(xiàng)選擇題原位軸壓法的特點(diǎn)不包括（）。
A.屬原位檢測，直接在墻體上測試，測試結(jié)果綜合反映了材料質(zhì)量和施工質(zhì)量
B.檢測部位局部破損
C.直觀性，可比性強(qiáng)
D.設(shè)備較輕
最新試題
只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）
題型：多項(xiàng)選擇題
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時(shí)，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動(dòng)聲子的散射概率的變化分別是（）
題型：單項(xiàng)選擇題
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重?fù)焦鑿U料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
題型：單項(xiàng)選擇題
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生擴(kuò)散電流，漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生（）電流。
題型：單項(xiàng)選擇題
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）
題型：單項(xiàng)選擇題
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
表面態(tài)中性能級位于費(fèi)米能級以上時(shí)，該表面態(tài)為（）；
題型：單項(xiàng)選擇題
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）
題型：單項(xiàng)選擇題
下列選項(xiàng)中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）
題型：單項(xiàng)選擇題