單項(xiàng)選擇題各種檢測(cè)強(qiáng)度的最終計(jì)算或推定結(jié)果，砌體的抗壓強(qiáng)度和抗剪強(qiáng)度均應(yīng)精確至（）。
A.0.01MPa
B.0.05MPa
C.0.1MPa
D.0.5MPa
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1.單項(xiàng)選擇題檢測(cè)數(shù)據(jù)中的歧離值和統(tǒng)計(jì)離群值，應(yīng)按《GB/T4883》中有關(guān)檢驗(yàn)法檢出和剔除，檢出水平a應(yīng)?。ǎ?/a>
A.0.02
B.0.03
C.0.04
D.0.05
2.單項(xiàng)選擇題燒結(jié)磚回彈法相鄰兩彈擊點(diǎn)的間距不應(yīng)小于（），每一彈擊點(diǎn)應(yīng)只能彈擊一次。
A.10mm
B.15mm
C.20mm
D.25mm
3.單項(xiàng)選擇題燒結(jié)磚回彈法在每塊磚的側(cè)面上應(yīng)均勻布置（）彈擊點(diǎn)，選定彈擊點(diǎn)時(shí)應(yīng)避開磚表面的缺陷。
A.5個(gè)
B.6個(gè)
C.8個(gè)
D.10個(gè)
4.單項(xiàng)選擇題原位軸壓法的特點(diǎn)不包括（）。
A.屬原位檢測(cè)，直接在墻體上測(cè)試，測(cè)試結(jié)果綜合反映了材料質(zhì)量和施工質(zhì)量
B.檢測(cè)部位局部破損
C.直觀性，可比性強(qiáng)
D.設(shè)備較輕
5.單項(xiàng)選擇題點(diǎn)荷法試件破壞后應(yīng)拼接成原樣，并測(cè)量荷載作用半徑，應(yīng)精確到（）。
A.0.1mm
B.0.2mm
C.0.5mm
D.1mm
最新試題
下列是晶體的是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
下列哪個(gè)不是單晶常用的晶向（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
對(duì)于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡(jiǎn)并半導(dǎo)體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí)，半導(dǎo)體具有（）半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
PN結(jié)的基本特性是（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶?，?huì)有氮取代部分的磷，這會(huì)在磷化鎵中出現(xiàn)（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過(guò)程的散射機(jī)構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時(shí)，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動(dòng)聲子的散射概率的變化分別是（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題