單項選擇題燒結(jié)磚回彈法在每塊磚的側(cè)面上應(yīng)均勻布置（）彈擊點，選定彈擊點時應(yīng)避開磚表面的缺陷。
A.5個
B.6個
C.8個
D.10個
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1.單項選擇題原位軸壓法的特點不包括（）。
A.屬原位檢測，直接在墻體上測試，測試結(jié)果綜合反映了材料質(zhì)量和施工質(zhì)量
B.檢測部位局部破損
C.直觀性，可比性強
D.設(shè)備較輕
2.單項選擇題點荷法試件破壞后應(yīng)拼接成原樣，并測量荷載作用半徑，應(yīng)精確到（）。
A.0.1mm
B.0.2mm
C.0.5mm
D.1mm
3.單項選擇題砌體結(jié)構(gòu)的檢測內(nèi)容主要有強度和施工質(zhì)量，其中強度不包括（）。
A.塊材強度
B.砂漿強度
C.抹灰強度
D.砌體強度
4.單項選擇題點荷法制備試件，應(yīng)在砂漿試件上畫出作用點，并應(yīng)量測其厚度，應(yīng)精確至（）。
A.0.05mm
B.0.25mm
C.0.5mm
D.0.1mm
5.單項選擇題點荷法所用壓力試驗機鋼質(zhì)加荷頭圓錐體內(nèi)角應(yīng)為（）度。
A.30
B.45
C.60
D.75
最新試題
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括（）
題型：單項選擇題
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs，光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。
題型：單項選擇題
PN結(jié)的基本特性是（）
題型：單項選擇題
在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。
題型：單項選擇題
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是（）。
題型：單項選擇題
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）
題型：多項選擇題
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重?fù)焦鑿U料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
題型：單項選擇題
下列哪個不是單晶常用的晶向（）
題型：單項選擇題
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）
題型：單項選擇題
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）
題型：單項選擇題