單項(xiàng)選擇題檢測(cè)數(shù)據(jù)中的歧離值和統(tǒng)計(jì)離群值,應(yīng)按《GB/T4883》中有關(guān)檢驗(yàn)法檢出和剔除,檢出水平a應(yīng)?。ǎ?。

A.0.02
B.0.03
C.0.04
D.0.05


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3.單項(xiàng)選擇題原位軸壓法的特點(diǎn)不包括()。

A.屬原位檢測(cè),直接在墻體上測(cè)試,測(cè)試結(jié)果綜合反映了材料質(zhì)量和施工質(zhì)量
B.檢測(cè)部位局部破損
C.直觀性,可比性強(qiáng)
D.設(shè)備較輕

5.單項(xiàng)選擇題砌體結(jié)構(gòu)的檢測(cè)內(nèi)容主要有強(qiáng)度和施工質(zhì)量,其中強(qiáng)度不包括()。

A.塊材強(qiáng)度
B.砂漿強(qiáng)度
C.抹灰強(qiáng)度
D.砌體強(qiáng)度

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直拉法生長(zhǎng)單晶硅拉晶過(guò)程有幾個(gè)主要階段?()

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與半導(dǎo)體相比較,絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量()

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只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是()。 

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CZ法的主要流程工藝順序正確的是()

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改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括()

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最有效的復(fù)合中心能級(jí)位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級(jí)位置在()附近,常見的是少子陷阱。

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對(duì)于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡(jiǎn)并半導(dǎo)體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí),半導(dǎo)體具有()半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下,產(chǎn)生().使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過(guò)測(cè)量電學(xué)性質(zhì)的變化,可以知道紅外輻射的強(qiáng)弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測(cè)器。  

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。

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PN結(jié)的基本特性是()

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