單項選擇題原位雙剪法檢測時，對于測試步驟以下說法不正確的是（）。
A.測試時，應將剪切儀主機放入開鑿好的孔洞中，并應使儀器的承壓板與試件的磚塊頂面重合
B.儀器軸線與磚塊軸線應吻合開鑿孔洞過長時，在儀器尾部應另加墊塊
C.加荷的全過程宜為3min~7mim
D.操作剪切儀，應勻速施加水平荷載，并應直至試件和砌體之間產生相對位移，試件達到破壞狀態(tài)
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
1.單項選擇題砂漿回彈法在計算每個測位回彈值算術平均值時，應精確到（）。
A.0.01
B.0.05
C.0.1
D.0.5
2.單項選擇題砂漿回彈法在每個測位內，測碳化深度時，應選擇3處灰縫，鑿出孔洞直徑約為（）。
A.5mm
B.10mm
C.15mm
D.20mm
3.單項選擇題砂漿回彈法在每個彈擊點上，應使用回彈儀連續(xù)彈擊（），記錄最后一次回彈值。
A.2次
B.3次
C.4次
D.5次
4.單項選擇題砂漿回彈法每個測位應均勻布置（）彈擊點，選定彈擊點應避開磚的邊緣、灰縫中的氣孔。
A.12個
B.15個
C.16個
D.18個
5.單項選擇題砂漿回彈法彈擊點處應磨掉表面砂漿，深度應為（）。
A.3-8mm
B.5-10mm
C.8-15mm
D.10-15mm
最新試題
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是（）。
題型：單項選擇題
如果雜質既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質稱為（）。
題型：單項選擇題
多晶硅的生產方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重摻硅廢料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
題型：單項選擇題
用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結會產生光生伏特效應。
題型：單項選擇題
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）
題型：單項選擇題
PN結的基本特性是（）
題型：單項選擇題
屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）
題型：單項選擇題
可用作硅片的研磨材料是（）
題型：單項選擇題
一塊半導體壽命τ=15µs，光照在材料中會產生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。
題型：單項選擇題
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段？（）
題型：單項選擇題