單項(xiàng)選擇題砂漿回彈法在每個(gè)彈擊點(diǎn)上，應(yīng)使用回彈儀連續(xù)彈擊（），記錄最后一次回彈值。
A.2次
B.3次
C.4次
D.5次
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
1.單項(xiàng)選擇題砂漿回彈法每個(gè)測位應(yīng)均勻布置（）彈擊點(diǎn)，選定彈擊點(diǎn)應(yīng)避開磚的邊緣、灰縫中的氣孔。
A.12個(gè)
B.15個(gè)
C.16個(gè)
D.18個(gè)
2.單項(xiàng)選擇題砂漿回彈法彈擊點(diǎn)處應(yīng)磨掉表面砂漿，深度應(yīng)為（）。
A.3-8mm
B.5-10mm
C.8-15mm
D.10-15mm
3.單項(xiàng)選擇題位雙剪法檢測時(shí)，下列哪個(gè)部位可以布設(shè)測點(diǎn)（）。
A.門、窗洞口側(cè)邊120mm范圍內(nèi)
B.后補(bǔ)的施工洞口和經(jīng)修補(bǔ)的砌體
C.完整墻體中部
D.獨(dú)立磚柱
4.單項(xiàng)選擇題砂漿回彈法測試碳化深度時(shí)應(yīng)用濃度為（）的酚酞酒精溶液。
A.1%-2%
B.2%-3%
C.3%-4%
D.4%-5%
5.單項(xiàng)選擇題砂漿片試件的剪切測試，應(yīng)對試件勻速連續(xù)施加荷載，加荷速度不宜大于（），直至試件破壞。
A.8N/s
B.10N/s
C.15N/s
D.20N/s
最新試題
在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動(dòng)勢的現(xiàn)象稱（）
題型：單項(xiàng)選擇題
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個(gè)主要階段？（）
題型：單項(xiàng)選擇題
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）
題型：多項(xiàng)選擇題
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
題型：單項(xiàng)選擇題
下列哪個(gè)不是單晶常用的晶向（）
題型：單項(xiàng)選擇題
用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會(huì)產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
題型：單項(xiàng)選擇題
在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。
題型：單項(xiàng)選擇題
對于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí)，半導(dǎo)體具有（）半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
題型：單項(xiàng)選擇題
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）
題型：單項(xiàng)選擇題
屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）
題型：單項(xiàng)選擇題