單項(xiàng)選擇題砂漿回彈法彈擊點(diǎn)處應(yīng)磨掉表面砂漿，深度應(yīng)為（）。
A.3-8mm
B.5-10mm
C.8-15mm
D.10-15mm
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1.單項(xiàng)選擇題位雙剪法檢測(cè)時(shí)，下列哪個(gè)部位可以布設(shè)測(cè)點(diǎn)（）。
A.門、窗洞口側(cè)邊120mm范圍內(nèi)
B.后補(bǔ)的施工洞口和經(jīng)修補(bǔ)的砌體
C.完整墻體中部
D.獨(dú)立磚柱
2.單項(xiàng)選擇題砂漿回彈法測(cè)試碳化深度時(shí)應(yīng)用濃度為（）的酚酞酒精溶液。
A.1%-2%
B.2%-3%
C.3%-4%
D.4%-5%
3.單項(xiàng)選擇題砂漿片試件的剪切測(cè)試，應(yīng)對(duì)試件勻速連續(xù)施加荷載，加荷速度不宜大于（），直至試件破壞。
A.8N/s
B.10N/s
C.15N/s
D.20N/s
4.單項(xiàng)選擇題砂漿片剪切法所用的砂漿測(cè)強(qiáng)儀上下刀片中心間距為（）。
A.1.8±0.05mm
B.2.0±0.05mm
C.2.2±0.05mm
D.2.4±0.05mm
5.單項(xiàng)選擇題筒壓法試樣加載時(shí)應(yīng)均勻加載至規(guī)定的筒壓荷載值，水泥砂漿，石粉砂漿的筒壓荷載值應(yīng)為（）。
A.5kN
B.10kN
C.15kN
D.20kN
最新試題
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）
題型：單項(xiàng)選擇題
只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動(dòng)勢(shì)的現(xiàn)象稱（）
題型：單項(xiàng)選擇題
硅片拋光在原理上不可分為（）
題型：單項(xiàng)選擇題
下列哪個(gè)不是單晶常用的晶向（）
題型：單項(xiàng)選擇題
對(duì)于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí)，半導(dǎo)體具有（）半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
題型：單項(xiàng)選擇題
下列是晶體的是（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
可用作硅片的研磨材料是（）
題型：單項(xiàng)選擇題
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）
題型：單項(xiàng)選擇題